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PED2512L

  •     PED2512L是VDS=18V，ID=10A，RDS(ON)<9.5mΩ@VGS=4.5V，RDS(ON)<9.8mΩ@VGS=4.2V，RDS(ON)<10.5mΩ@VGS=3.8V，RDS(ON)<13mΩ@VGS=2.5V的N沟道MOSFET

        PED2512L的丝印是2512

        PED2512L提供PDFN2*5-6L封装。


    PED2512L概述：
        PED2512L是VDS=18V，ID=10A，RDS(ON)<9.5mΩ@VGS=4.5V，RDS(ON)<9.8mΩ@VGS=4.2V，RDS(ON)<10.5mΩ@VGS=3.8V，RDS(ON)<13mΩ@VGS=2.5V的N沟道MOSFET。PED2512L的丝印是2512，PED2512L提供PDFN2*5-6L封装。
        The PED2512L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected.

    PED2512L特性：
    VDS = 18V, ID = 10 A 
    RDS(ON) < 9.5mΩ @ VGS=4.5V 
    RDS(ON) < 9.8mΩ @ VGS=4.2V 
    RDS(ON) < 10.5mΩ @ VGS=3.8V 
    RDS(ON) < 13mΩ @ VGS=2.5V
    High Power and current handing capability 
    Lead free product is acquired 
    Surface Mount Package

    PED2512L应用：
    PWM applications 
    Load switch 
    Power management 
    Battery Protection

    PED2512L典型应用及引脚：

    咨詢：PED2512L
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