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PED2310N

  •     PED2310N是VDS=18V，ID=7A，RDS(ON)<16mΩ@VGS=4.5V，RDS(ON)<17mΩ，@VGS=4.2V，RDS(ON)<18mΩ@VGS=3.8V ，RDS(ON)<24mΩ@VGS=2.5V的N沟道MOSFET.

        PED2310N的丝印是NG23，

        PED2310N提供DFN2x3-6L封装。


    PED2310N概述：
        PED2310N是VDS=18V，ID=7A，RDS(ON)<16mΩ@VGS=4.5V，RDS(ON)<17mΩ，@VGS=4.2V，RDS(ON)<18mΩ@VGS=3.8V ，RDS(ON)<24mΩ@VGS=2.5V的N沟道MOSFET.PED2310N的丝印是NG23,PED2310N提供DFN2x3-6L封装。
        The PED2310N uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected.

    PED2310N特性：
    VDS = 18V, ID = 7A
    RDS(ON) < 16mΩ @ VGS=4.5V
    RDS(ON) < 17mΩ @VGS=4.2V
    RDS(ON) < 18mΩ @VGS=3.8V
    RDS(ON)< 24mΩ @VGS=2.5V
    ESD Rating: 4000V HBM
    High Power and current handing capability
    Lead free product is acquired
    Surface Mount Package

    PED2310N应用：
    PWM applications
    Load switch
    Power management

    PED2310N典型应用及引脚：

    咨詢：PED2310N
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