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PED2013M

  • PED2013M是VDS=-20V，ID=-40A，RDS(ON)<7mΩ@VGS=-10V，RDS(ON)<8.5mΩ@VGS=-4.5V，RDS(ON)<14mΩ@VGS=-2.5V的P沟道MOSFET

    PED2013M的丝印是PED2013M

    PED2013M提供PDFN3.3x3.3-8L封装。


    PED2013M概述：
        PED2013M是VDS=-20V，ID=-40A，RDS(ON)<7mΩ@VGS=-10V，RDS(ON)<8.5mΩ@VGS=-4.5V，RDS(ON)<14mΩ@VGS=-2.5V的P沟道MOSFET。PED2013M的丝印是PED2013M，PED2013M提供PDFN3.3x3.3-8L封装。
        The PED2013M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.


    PED2013M特性：
    VDS = -20V, ID = -40A
    RDS(ON) < 7mΩ @ VGS=-10V
    RDS(ON) < 8.5mΩ @ VGS=-4.5V
    RDS(ON) < 14mΩ @VGS=-2.5V
    High Power and current handing capability
    Lead free product is acquired
    Surface Mount Package


    PED2013M应用：
    PWM applications
    Load switch
    Power management



    PED2013M典型应用及引脚：

    咨詢：PED2013M
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