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PE8260M

  •  PE8260M是VDS=20V，ID=22A，RDS(ON)<4mΩ@VGS=4.5V，RDS(ON)<5.4mΩ@VGS=2.5V的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.

    PE8260M的丝印是PE8260M.

    PE8260M提供PDFN3.3x3.3-8L封装.


    PE8260M概述：
        PE8260M是VDS=20V,ID=22A,RDS(ON)<4mΩ,@VGS=4.5V,RDS(ON)<5.4mΩ,@VGS=2.5V的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.PE8260M的丝印是PE8260M.PE8260M提供PDFN3.3x3.3-8L封装.
        The PE8260M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.


    PE8260M特性：
    VDS = 20V, ID = 22A
    RDS(ON) < 4mΩ @ VGS=4.5V
    RDS(ON) < 5.4mΩ @VGS=2.5V
    High Power and current handing capability
    Lead free product is acquired
    Surface Mount Package


    PE8260M应用：
    PWM applications
    Load switch


    PE8260M典型应用及引脚：

    咨詢：PE8260M
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