熱門關鍵詞：CST8002D  CST6118  CST6508  XS9971   CST118S  CST2466  矽源特科技

免費咨詢熱線：

13823783658
Mosfet类
当前位置 : Mosfet类

PE8250M

  •  PE8250M是VDS=18V，ID=50A，RDS(ON)<4.2mΩ，@VGS=4.5V，RDS(ON)<6mΩ，@VGS=2.5V，RDS(ON)<10mΩ，@VGS=1.8V的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.

    PE8250M的丝印是PE8250M.

    PE8250M提供PDFN3.3x3.3-8L封装.


    PE8250M概述：
        PE8250M是VDS=18V,ID=50A，RDS(ON)<4.2mΩ，@VGS=4.5V，RDS(ON)<6mΩ，@VGS=2.5V，RDS(ON)<10mΩ，@VGS=1.8V的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.PE8250M的丝印是PE8250M.PE8250M提供PDFN3.3x3.3-8L封装.
        The PE8250M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected.


    PE8250M特性：
    VDS = 18V, ID = 50A 
    RDS(ON) < 4.2mΩ @ VGS=4.5V 
    RDS(ON) < 6mΩ @ VGS=2.5V 
    RDS(ON) < 10mΩ @ VGS=1.8V 
    ESD Rating: 4000V HBM 
    High Power and current handing capability 
    Lead free product is acquired 
    Surface Mount Package


    PE8250M应用：
    PWM applications 
    Load switch 
    Power management 
    Battery Protection


    PE8250M典型应用及引脚：

    咨詢：PE8250M
    * 為必填項

  • 上一篇：PE2300  2021/11/15
  • 下一篇：PED2310L  2021/12/30

    • Back Top

    技術咨詢：13823783658 郵箱：Tony@ChipHomeTek.com

    商務 Q Q : 2850520718

    地址：深圳市寶安區福永懷德明禧創意園A3棟302室 A3 Building 302 Room, Huaide mingxi industry zone, Fuyong town,Baoan district,Shenzhen city

    微信公眾號

    免費咨詢熱線

    13823783658

    ©2021 深圳中恒科技电子有限公司 All rights reserved 備案號：粵ICP備19008659號