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PE30P13DS

  •     PE30P13DS是VDS=-30V，ID=-9A，RDS(ON)<17mΩ，@VGS=-10V，RDS(ON)<25mΩ，@VGS=-4.5V的P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.

        PE30P13DS的丝印是PE30P13DS.

        PE30P13DS提供SOP-8封装.


    PE30P13DS概述：
        PE30P13DS是VDS=-30V,ID=-9A，RDS(ON)<17mΩ，@VGS=-10V，RDS(ON)<25mΩ，@VGS=-4.5V的P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.PE30P13DS的丝印是PE30P13DS.PE30P13DS提供SOP-8封装.
        The PE30P13DS uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

    PE30P13DS特性：
    VDS = -30V, ID = -9A
    RDS(ON) < 17mΩ @ VGS=-10V
    RDS(ON) < 25mΩ @VGS=-4.5V
    High Power and current handing capability
    Lead free product is acquired
    Surface Mount Package

    PE30P13DS应用：
    PWM applications
    Load switch
    Power management

    PE30P13DS典型应用及引脚：

    咨詢：PE30P13DS
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