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PE58120PA

  •     PE58120PA是VDS=85V，ID=120A，RDS(ON)<5.6mΩ@VGS=10V的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.

        PE58120PA的丝印是PE58120P.

        PE58120PA提供TO-263封装.


    PE58120PA概述：
        PE58120PA是VDS=85V,ID=120A，RDS(ON)<5.6mΩ@VGS=10V的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.PE58120PA的丝印是PE58120P.PE58120PA提供TO-263封装.
        The PE58120PA uses deep trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

    PE58120PA特性：
    VDS = 85V, ID = 120A
    RDS(ON) < 5.6mΩ @VGS=10V
    High Power and current handing capability
    Lead free product is acquired
    Surface Mount Package

    PE58120PA应用：
    PWM applications
    Load switch
    Power management

    PE58120PA典型应用及引脚：

    咨詢：PE58120PA
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