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PE7150M

  •     PE7150M是VDS=-18V，ID=-50A，RDS(ON)<6.3mΩ，@VGS=-4.5V，RDS(ON)<7.0mΩ，@VGS=-3.8V，RDS(ON)< 8.1mΩ，@VGS=-3.1V，RDS(ON)<9.0mΩ，@VGS=-2.5V的P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.

        PE7150M的丝印是PE7150M

        PE7150M提供PDFN3.3*3.3-8L封装.


    PE7150M概述：
        PE7150M是VDS=-18V,ID=-50A，RDS(ON)<6.3mΩ，@VGS=-4.5V，RDS(ON)<7.0mΩ，@VGS=-3.8V，RDS(ON)< 8.1mΩ，@VGS=-3.1V，RDS(ON)<9.0mΩ，@VGS=-2.5V的P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.PE7150M的丝印是PE7150M.PE7150M提供PDFN3.3*3.3-8L封装.
        The PE7150M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

    PE7150M特性：
    VDS = -18V, ID = -50A
    RDS(ON) < 6.3mΩ @ VGS=-4.5V
    RDS(ON) < 7.0mΩ @ VGS=-3.8V
    RDS(ON) < 8.1mΩ @ VGS=-3.1V
    High Power and current handing capability
    Lead free product is acquired
    Surface Mount Package
    Good stability and uniformity with high EAS RDS(ON) < 9.0mΩ @VGS=-2.5V

    PE7150M应用：
    PWM applications
    Load switch
    Power management
    Battery protection

    PE7150M典型应用及引脚：

    咨詢：PE7150M
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