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PE60D58S

  • PE60D58S是VDS=60V，ID=8A，RDS(ON)<18mΩ，@VGS=10V，RDS(ON)<22mΩ，@VGS=4.5V的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.

    PE60D58S的丝印是PE60D58S.

    PE60D58S提供SOP8封装.

    PE60D58S概述：
        PE60D58S是VDS=60V,ID=8A，RDS(ON)<18mΩ，@VGS=10V，RDS(ON)<22mΩ，@VGS=4.5V的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.PE60D58S的丝印是PE60D58S.PE60D58S提供SOP8封装.
        The PE60D58S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

    PE60D58S特性：
    VDS = 60V, ID = 8A
    RDS(ON) < 18mΩ @ VGS=10V
    RDS(ON) < 22mΩ @ VGS=4.5V
    High Power and current handing capability
    Lead free product is acquired
    Surface Mount Package

    PE60D58S应用：
    PWM applications
    Load switch
    Power management

    PE60D58S典型应用及引脚：

    咨詢：PE60D58S
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