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HYG090N06LS1C2

  •     HYG090N06LS1C2是N沟道增强型功率MOSFET

        HYG090N06LS1C2是60V/60A的N沟MOSFET，RDS(ON)=7.7 mΩ(typ.)@VGS=10V 、RDS(ON)=11.8mΩ(typ.)@VGS=4.5V

        HYG090N06LS1C2丝印G090N06，HYG090N06LS1C2提供PDFN5*6-8L封装。
    HYG090N06LS1C2规格书下载

    HYG090N06LS1C2概述：
        HYG090N06LS1C2是N沟道增强型功率MOSFET，HYG090N06LS1C2是60V/60AR的N沟MOSFET，RDS(ON)= 7.7 mΩ(typ.)@VGS = 10V 、RDS(ON)= 11.8 mΩ(typ.)@VGS = 4.5V/HYG090N06LS1C2丝印G090N06，HYG090N06LS1C2提供PDFN5*6-8L封装。

    HYG090N06LS1C2特性：
    60V/60A
        R DS(ON) = 7.7 mΩ(typ.)@V GS = 10V
        R DS(ON) = 11.8 mΩ(typ.)@V GS = 4.5V
    100% Avalanche Tested
    Reliable and Rugged
    Halogen- Free Devices Available (RoHS Compliant)
    HYG090N06LS1C2应用：
    High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter
    Power Tool Application
    Networking DC-DC Power System

    HYG090N06LS1C2 ORDERING INFORMATION:
    HYG090N06LS1C2 ORDERING INFORMATION
    C2
    G090N06
    XYMXXXXXX    		 Package Code
    C2: PPAK5*6-8L
    Date Code
    XYMXXXXXX

    HYG090N06LS1C2典型应用电路及封装图：

    咨詢：HYG090N06LS1C2
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