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PE82H2G

  •     PE82H2G是20V120A的N沟道增强型功率MOSFET

        DS=18V ID=120ARDS(ON)<2.1mΩ @ VGS=4.5VRDS(ON)<2.5mΩ@VGS=2.5VESD Rating: 4000V HBM.

        PE82H2G丝印：PE82H2G，PE82H2G提供DFN5x6-8L封装
    PE82H2G   规格书下载


    PE82H2G概述：
    PE82H2G是20V,120A的N沟道增强型功率MOSFET，VDS=18V, ID=120A,RDS(ON)<2.1mΩ @ VGS=4.5V,RDS(ON)<2.5mΩ@VGS=2.5V,ESD Rating: 4000V HBM.PE82H2G丝印：PE82H2G，PE82H2G提供DFN5x6-8L封装。The PE82H2G uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected。V

    PE82H2G特性：
    VDS= 8V, ID=120A
    　RDS(ON)<2.1mΩ @ VGS=4.5V
    　RDS(ON)<2.5mΩ @VGS=2.5V
    　ESD Rating: 4000V HBM
    High Power and current handing capability
    Lead free product is acquired
    Surface Mount Package

    PE82H2G应用：
    Battery management
    PWM
    Load switch
    Uninterruptible power supply

    PE82H2G典型应用电路图、丝印图、封装图：

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