熱門關鍵詞:   haa  HAA  HAA2018  2018  OTP方案

Mosfet類
您的位置:主页 > 芯片規格 > Mosfet類 >
prevnext

PED2013M

  • 產品特點:
    PED2013M是VDS=-20V,ID=-40A,RDS(ON)<7mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<8.5mΩ@VGS=-4.5V,RDS(ON)<14mΩ@VGS=-2.5V的P沟道MOSFET。PED2013M的丝印是PED2013M,PED2013M提供PDFN3.3x3.3-8L封装。
  • 咨詢熱線:13823783658
  • 產品詳情

 
 
PED2013M概述:
    PED2013M是VDS=-20V,ID=-40A,RDS(ON)<7mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<8.5mΩ@VGS=-4.5V,RDS(ON)<14mΩ@VGS=-2.5V的P沟道MOSFET。PED2013M的丝印是PED2013M,PED2013M提供PDFN3.3x3.3-8L封装。
    The PED2013M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
 
PED2013M特性:
VDS = -20V, ID = -40A
RDS(ON) < 7mΩ @ VGS=-10V
RDS(ON) < 8.5mΩ @ VGS=-4.5V
RDS(ON) < 14mΩ @VGS=-2.5V
High Power and current handing capability
Lead free product is acquired
Surface Mount Package
 
PED2013M应用:
PWM applications
Load switch
Power management
 
PED2013M典型应用及引脚:

咨詢:PED2013M
* 為必填項

返回頂部