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PE3400

  • PE3400是N沟道增强型功率MOSFET,PE3400采用先进的沟槽技术提供,良好的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极操作,电压低至2.5V。PE3400采用SOT23-3L封装。适用于电池保护或其他开关应用。
    VDS = 30V,ID = 5.8A
    RDS(ON) < 59mΩ @ VGS=2.5V
    RDS(ON) < 45mΩ @ VGS=4.5V
    RDS(ON) < 41mΩ @ VGS=10V
    丝印:3400
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    PE3400概述：
    PE3400是N沟道增强型功率MOSFET,PE3400采用先进的沟槽技术提供,良好的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极操作,电压低至2.5V。PE3400采用SOT23-3L封装。适用于电池保护或其他开关应用。

    PE3400特性：
    VDS = 30V,ID = 5.8A
    RDS(ON) < 59mΩ @ VGS=2.5V
    RDS(ON) < 45mΩ @ VGS=4.5V
    RDS(ON) < 41mΩ @ VGS=10V
    丝印:3400

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