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PE2300

  • PE2300是N沟道增强型功率MOSFET,PE2300采用先进的沟槽技术提供,良好的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极操作,电压低至2.5V。PE2300采用SOT23封装。适用于电池保护或其他开关应用。
    PE2300特性：
     VDS = 20V,ID = 4.5A
    RDS(ON) < 40mΩ @ VGS=2.5V
    RDS(ON) < 33mΩ @ VGS=4.5V
    丝印：AE9T
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    PE2300概述
    PE2300是N沟道增强型功率MOSFET,PE2300采用先进的沟槽技术提供,良好的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极操作,电压低至2.5V。PE2300采用SOT23封装。适用于电池保护或其他开关应用。

    PE2300特性：
     VDS = 20V,ID = 4.5A
    RDS(ON) < 40mΩ @ VGS=2.5V
    RDS(ON) < 33mΩ @ VGS=4.5V
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    PE2300典型应用电路图和脚位和丝印

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